関西大学超高周波工学研究室

『　2002年　研究業績　』

■ 木下　武，清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：シリコン光導波路の入出力部の構造と伝播モードの関係の検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，1-5，2002．

■ 清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：フォトニック・バンドギャップを利用した光導波路の基本検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，6-9，2002．

■ 小林秀樹，飯田幸雄，大村泰久，前田　裕，松島恭治，新井泰彦：光スイッチの提案と動作特性の検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，10-13，2002．

■ Y.Iida: Coarseness Error and Wall Process Near Conductor Corner in FDTD Method, Electron. and Comm. in Japan, Part 2 Electron., vol.85, no.3,pp.9-15, Wiley, March 2002.

■ 池内　哲，飯田幸雄，中村俊昭：ＦＤＴＤ法におけるストリップ導体コーナ部処理法の検討，2002年電子情報通信学会総合大会 C-2-38, March 2002．

■ 池内　哲，杉野伸治，飯田幸雄，FDTD法による電磁界シミュレータ，電子情報通信学会マイクロ波シミュレータ研究会第5回ワークショップ実演展示資料，March 2002．

■ H. Kobayashi, Y. Iida and Y. Omura: Single-Mode Silicon Optical Switch with T-Shape SiO2 Waveguide as an Control Gate, Jpn. J. Appl. Phys., vol.41 Part 1, no.4B, pp.2563-2565, April 2002.

■ 飯田幸雄：マイクロ波・ミリ波帯電子部品の電磁界シミュレーション，関西大学情報処理センターフォーラム 2001-No.16, pp.35-40, April 2002．

■ 高田政明，飯田幸雄：　FDTD法における導体表面インピーダンス境界条件についての検討，電子情報通信学会技術研究報告，MW2002-13，pp.65-70, April 2002．

■ 喜多村裕一，飯田幸雄：　FDTD法とPade近似による共振周波数とQ値計算における計算精度と適用範囲の検討，電子情報通信学会技術研究報告，MW2002-20, pp.27-32, May 2002．

■
木下　武，清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討，電子情報通信学会論文誌，vol.J85-C, No.6, pp.497- 499, June 2002．

■ 大村泰久，飯田幸雄，新井泰彦，前田　裕，田村　進，中村和広：SOI構造の全光学的スイッチ，テクノパワー　２００２　in OSAKA, June 2002．

■ 池内　哲，飯田幸雄，中村俊昭：　FDTD法における薄い導体板の境界処理法，電子情報通信学会技術研究報告，MST2002-5，pp.25-30, Sept. 2002．

■ A. Shimizu, Y. Iida and Y. Omura:　Design Sensitivity in Quasi-One-Dimensional Silicon-Based Photonic Crystalline Waveguide, Proc. 32th European Solid-State Device Research Conference, pp.539-542, Firenze, Italy 2002.

■ 鎌田圭一郎，飯田幸雄: FDTD法による誘電体センサの検討とコンクリートの測定,電気関係学会関西支部連大，G2-5, 2002．

■ 三宅基行，坂東勇気，安坂　稔，飯田幸雄：半導体レーザのマイクロ波直接変調に関する実験的検討，電気関係学会関西支部連大, G9-8, 2002．

　

Copyright (C) 関西大学超高周波工学研究室

『　2002年　研究業績　』

■	木下　武，清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：シリコン光導波路の入出力部の構造と伝播モードの関係の検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，1-5，2002．

■	清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：フォトニック・バンドギャップを利用した光導波路の基本検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，6-9，2002．

■	小林秀樹，飯田幸雄，大村泰久，前田　裕，松島恭治，新井泰彦：光スイッチの提案と動作特性の検討，第６回関西大学先端科学技術シンポジウム講演集，10-13，2002．

■	Y.Iida: Coarseness Error and Wall Process Near Conductor Corner in FDTD Method, Electron. and Comm. in Japan, Part 2 Electron., vol.85, no.3,pp.9-15, Wiley, March 2002.

■	池内　哲，飯田幸雄，中村俊昭：ＦＤＴＤ法におけるストリップ導体コーナ部処理法の検討，2002年電子情報通信学会総合大会 C-2-38, March 2002．

■	池内　哲，杉野伸治，飯田幸雄，FDTD法による電磁界シミュレータ，電子情報通信学会マイクロ波シミュレータ研究会第5回ワークショップ実演展示資料，March 2002．

■	H. Kobayashi, Y. Iida and Y. Omura: Single-Mode Silicon Optical Switch with T-Shape SiO2 Waveguide as an Control Gate, Jpn. J. Appl. Phys., vol.41 Part 1, no.4B, pp.2563-2565, April 2002.

■	飯田幸雄：マイクロ波・ミリ波帯電子部品の電磁界シミュレーション，関西大学情報処理センターフォーラム 2001-No.16, pp.35-40, April 2002．

■	高田政明，飯田幸雄：　FDTD法における導体表面インピーダンス境界条件についての検討，電子情報通信学会技術研究報告，MW2002-13，pp.65-70, April 2002．

■	喜多村裕一，飯田幸雄：　FDTD法とPade近似による共振周波数とQ値計算における計算精度と適用範囲の検討，電子情報通信学会技術研究報告，MW2002-20, pp.27-32, May 2002．

■	木下　武，清水　彰，飯田幸雄，大村泰久：単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討，電子情報通信学会論文誌，vol.J85-C, No.6, pp.497- 499, June 2002．

■	大村泰久，飯田幸雄，新井泰彦，前田　裕，田村　進，中村和広：SOI構造の全光学的スイッチ，テクノパワー　２００２　in OSAKA, June 2002．

■	池内　哲，飯田幸雄，中村俊昭：　FDTD法における薄い導体板の境界処理法，電子情報通信学会技術研究報告，MST2002-5，pp.25-30, Sept. 2002．

■	A. Shimizu, Y. Iida and Y. Omura:　Design Sensitivity in Quasi-One-Dimensional Silicon-Based Photonic Crystalline Waveguide, Proc. 32th European Solid-State Device Research Conference, pp.539-542, Firenze, Italy 2002.

■	鎌田圭一郎，飯田幸雄: FDTD法による誘電体センサの検討とコンクリートの測定,電気関係学会関西支部連大，G2-5, 2002．

■	三宅基行，坂東勇気，安坂　稔，飯田幸雄：半導体レーザのマイクロ波直接変調に関する実験的検討，電気関係学会関西支部連大, G9-8, 2002．


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